一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
MOS管FET栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
下边是MOS无效的六大缘故：
1：山崩无效（工作电压无效），也就是人们常说的漏源间的BVdss工作电压超出MOSFET的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致MOSFET无效。
2：SOA无效（电流量无效），既超过MOSFET安全工作区造成无效，分成Id超过器件规格型号无效及其Id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。
3：体二极管无效：在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，因为体二极管遭到影响而导致的无效。
4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。
5：静电感应无效：在冬秋时节，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。
6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。
MOS管失效的两个主要原因：
电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。
栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。
雪崩破坏到底是什么？简单地说，MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。
造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。
以上信息由专业从事3080mos厂家的炫吉电子于2025/4/5 12:03:50发布
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