场效应管与三极管的区别：
1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，在性能方面，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能；
2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的；
3.场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；
4.场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；
5.场效应管输入阻抗大；三极管输入阻抗小；
6.场效应管的频率特性不如三极管；
7.场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；
8.信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
MOS管失效的两个主要原因：
电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。
栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。
雪崩破坏到底是什么？简单地说，MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。
造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
就目前的半导体行业发展来说，MOS管是作为半导体行业里基础的器件之一，无论是在集成电路设计里，还是在板级电路的应用上都是十分广泛的。目前尤其是在大功率半导体行业里，各种结构不同种类的MOS管更是发挥着不可i替代的作用。
以上信息由专业从事万芯mos管厂家的炫吉电子于2025/3/23 0:00:26发布
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