一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
发热情况有：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
MOSFET管有两个电极，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOSFET管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、P沟道和N沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的N沟道和增强型的P沟道MOS管，因此一般情况下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是这两种。
针对这两种增强型的MOS管，其中较为普遍使用的是NMOS —— 原因是增强型的N沟道MOS管的导通电阻更小，并且生产简便，因此在开关电源和电机驱动的运用中，我们一般使用增强型的N沟道MOS管。
MOS管的三个管脚中有寄生电容的存在，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，其中还没有解决的办法能避免。
在MOS管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动感性负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的MOS管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。
以上信息由专业从事2090mos万芯半导体的炫吉电子于2025/3/19 15:39:43发布
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