一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
判定栅极
用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极,红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小,说明两者都是正向电阻,该管属于是N沟道的场效应管,黑表笔接触的一样也是栅极。
制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ,可以互相交换使用 ,并不会影响电路的使用,电路此时也是正常的,所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的,而且栅源之间的极间电容又是非常小的,测量的时候只要有少量电荷,就可以在极间电容上面形成极高的电压,管子将很容易损坏。
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MOSFET芯片制做进行后,必须封装才能够应用。说白了封装便是给MOSFET芯片加一个机壳,这一机壳具备支撑点、维护、制冷的功效,与此同时还为芯片给予保护接地和防护,便于MOSFET元器件与其他元器件组成详细的电源电路。
输出功率MOSFET的封装方式有插入式和表面贴装试两大类。插入式便是MOSFET的管脚穿过PCB的安裝孔电焊焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及排热法电焊焊接在PCB表面的焊层上。
芯片的原材料、加工工艺是MOSFET性能质量的关键性要素,重视提升MOSFET的性能的生产制造厂商会在芯片核i心构造、相对密度及其加工工艺层面开展改善,而这种技术性改善将投入很高的成本费。封装技术性会直接影响到芯片的各种性能与质量,面对一样的芯片需要以不一样的方式进行封装,这么做也可以提升芯片的性能。
以上信息由专业从事中低压mos生产厂家的炫吉电子于2024/6/28 10:00:07发布
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