一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管即可用于放大电流,又可以作为可变电阻,还能用作电子开关,现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中,MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型N沟通MOS管,厂家可以用一个电压来控制G的电压。
基本方法:用一个控制电压(比较器同相输入端)和一个参考电压(比较器反相输入端),同时进入电压比较器,比较器的输出经过电阻上拉后接G脚,如果控制电压比参考电压高,则控制MOS管导通输出电流。
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0世纪以来,集成电路产业发展迅速,MOS器件是集成电路的重要元器件,需求量持续增大。MOS,是MOSFET的缩写,是金属-氧化物半导体场效应晶体管,具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点,是重要的功率分立器件之一,在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段,围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
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mos管失效的六个原因:
1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压,而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。
2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效,其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大,耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。
3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中,因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。
4、在并联的应用过程中,栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。
5、在干燥的环境中,因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。
6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰,导致栅极电压无效。
以上信息由专业从事大电流mos公司的炫吉电子于2024/5/6 12:33:53发布
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