精细研磨设备价格信息推荐特斯特

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精细研磨设备价格信息推荐特斯特 [苏州特斯特)31ff5f9]"内容：EMMI (Emission Microscopy)是用来做故障点定位、寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具。其具备高灵敏度的制冷式电荷(光)耦合组件(C-CCD)侦测器，可侦测组件中电子－电洞再结合时所发射出来的光子，其光波长在 350 nm ~ 1100 nm，此范围相当于可见光和红外光区。苏州特斯特电子科技有限公司，主要从事各类测试、检测仪器设备的代理销售和技术服务，产品涵盖电子元器件，电路板，线缆线束的测试与检测。

微光显微镜光发射显微镜是器件分析过程中针对漏电失效模式，的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺陷，或者期间经过外界静穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，从而形成200nm~1700nm红外线。光发射显微镜主要利用红外线侦测器，通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线，从而的定位到器件的漏电点。

EMMI微光显微镜

微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.

芯片失效分析步骤:

1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；

2、电测：主要工具，万用表，示波器， tek370a

3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机

4、半导体器件芯片失效分析芯片內部分析，孔洞气泡失效分析。

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