一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
二次封装LED生产工艺可以给LED产品带来以下优势：
(1)产品品质的一致性：二次封装工艺均采用数控式流水线设备生产，解决了以往人工灌胶做防水处理所带来的产品品质一致性较差和产品寿命短等问题，现代化的生产设备，在提升了生产量的同时又确保灯具质量的一致性。
(2)灯具产品防水性高：经上海市质量监督检验技术研究院、国家电光源质量检验中心、国家灯具质量监督检验中心检测，二次封装LED光源系统防护等级IP68(防护等级中的别，水下灯级别)。
(3)灯具的高稳定性：解决了LED灯具在户外使用过程中由于进水导致的灯具损坏和工程质量问题，使LED大型项目的稳定运行达到有力保障。
以上信息由专业从事led外延片价格的杰生半导体于2024/4/19 15:12:44发布
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